Nanoscience

Unser Hauptaugenmerk liegt hier auf der atomic-layer-deposition (ALD) zum Züchten und Überwachsen einer ganzen Reihe von Materialien. Darüber hinaus arbeiten wir eng mit der Molecular-Beam-Epitaxy (MBE)-Gruppe von Prof. Hansen und Dr. Heyn zusammen und konzentrieren uns auf das Wachstum von GaAs- und GaN-Heterostrukturen.

Nanostrukturierung ist unsere Kernkompetenz. Wir verwenden die fortschrittliche Elektronenstrahllithographie, mit der wir 8-nm-Merkmale auf 6-Zoll-Wafern definieren können. Dies können wir mit modernster Nano-Lithographie mit fokussiertem Ionenstrahl (FIB), mehreren Elektronenstrahlmikroskopen und einem brandneuen Reinraum in einem Forschungsgebäude kombinieren.

Einer der wahren Maßstäbe bahnbrechender wissenschaftlicher Entdeckungen ist ihre Anwendung. Unser Team widmet sich der Grundlagenforschung und testet das Potenzial von Nano-Geräten für reale Anwendungen.